CCD拼接技术研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wtuye262626
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为满足一些特殊领域对高位数线阵CCD的需要,我们用两个线阵2048位单列CCPD进行拼接,构成了4096位CCPD。用于拼接的2048位CCPD是采用埋沟三相三层多晶硅交迭栅埋沟结构。分析研究了器件的几何结构和性能参数。测试表明:器件光谱响应范围0.4~1.1μm,转移效率大于或等于99.99%,非均匀性小于或等于±8%。最后,对拼接CCD的实际意义进行了评述。
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