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[学位论文] 作者：陆旭兵,,
来源： 年份：2002
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小,SiO2作为MOSFET的栅介质材料在几年之内将不能满足需求,以此为背景应用于下一代MOSFET的高介电栅介质材...
[会议论文] 作者：陆旭兵,
来源：中国物理学会2013年秋季学术会议 年份：2013
跟常规的商业化闪存相比，铁电场效应晶体管(FeFET)具有更高的集成密度、更低的工作电压和能耗，更好的反复擦写能力，是一种非常有潜力在下一代非易失性存储器件中得到广泛应......
[期刊论文] 作者：白宜诚,陆旭兵,
来源：中南工业大学学报(自然科学版) 年份：2000
根据微分测深原理及分布集中式微分测深观测系统的特点 ,分析了自行研制的分布集中式微分测深仪的主机与多台从机的通讯、高接地电阻影响的消除、工作频率的选择依据等关键技术的解决方案以及整机的软、硬件结构 .结果表明 :在地球物理勘探中 ,该系统中的主从分......
[期刊论文] 作者：陆旭兵,李明,刘俊明,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2012
系统阐述了铁电场效应晶体管（FeFET）的工作原理，重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能．并介绍了基于FeFET......
[会议论文] 作者：周健,陆旭兵,刘俊明,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
对传统绝缘铁电氧化物的导电和电荷输运行为的研究，不仅可以探索蕴含于铁电材料中丰富的物理机制，而且在铁电阻变和铁电光伏方向具有广阔的应用前景。...
[期刊论文] 作者：陆旭兵,邵亚云,刘俊明,,
来源：华南师范大学学报(自然科学版) 年份：2013
有机柔性电子器件具有低制造成本、大面积、可柔性折叠等优点,是近年来国内外学术界和工业界的研究热点.有机非易失存储器是一种重要的有机柔性电子器件.介绍了浮栅型有机非...
[会议论文] 作者：何文强,陆旭兵,刘俊明,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
跟常规的场效应晶体管不同，有机场效应晶体管具有可柔性折叠、低成本大面积制备等优点，在近几年来得到飞速发展。在射频标签、传感器、平板显示等领域具有广阔的应用前景。......
[会议论文] 作者：许文超,陆旭兵,刘俊明,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
有机场效应晶体管型非易失性存储器具有可低温加工、适宜大面积生产、生产成本低和可与柔性衬底兼容等突出优点，已经成为国内外的研究热点。特别是，近十年来，基于聚合物驻极体的存储器正得到学术界越来越多的关注。......
[会议论文] 作者：景晓赛,陆旭兵,刘俊明,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
利用脉冲激光沉积的方法生长了一系列铌掺杂浓度的外延钛酸钡薄膜BaTi1-xNbxO3,(0≤x≤0.5)(以下简称BTNO),并首先通过对其形貌和结构的表征保证BTNO薄膜的高外延质量.不同掺杂浓度的BTNO薄膜电阻率随温度变化呈现出不同的变化趋势,反映出随着掺杂浓度的不同,导......
[会议论文] 作者：陆旭兵,何文强,刘俊明,
来源：第五届全国柔性与印刷电子研讨会(FPEChina) 年份：2015
跟常规的场效应晶体管不同，有机场效应晶体管具有可柔性折叠、低成本大面积制备等优点，在近几年来得到飞速发展。在射频标签、传感器、平板显示等领域具有广阔的应用前景。目前主流的有机场效应晶体管通常采用SiO2作为栅介电层，但是SiO2的介电常数较低，导致了有机场......
[期刊论文] 作者：王岛,张岩,邹正淼,王佳丽,陆旭兵,
来源：湘潭大学学报:自然科学版 年份：2019
该文采用原子层沉积在Si/SiO2/TiN基底上制备了20 nm Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜,并分别以TiN和Cu为盖层构筑了HZO铁电电容器.掠入射X射线衍射测试表明,TiN和Cu作为盖层的HZO薄膜...
[期刊论文] 作者：朱永安,唐吉玉,潘保瑞,陈俊芳,陆旭兵,
来源：材料科学与工程学报 年份：2015
该文使用传输矩阵法分析了GaInAsN/GaAs量子阱对电子的透射情况,并使用crosslight软件对GaInAsN/GaAs量子阱太阳能电池的伏安特性进行了数值模拟和分析。初步讨论了量子阱的...
[期刊论文] 作者：潘保瑞,唐吉玉,朱永安,何右青,陆旭兵,
来源：半导体光电 年份：2016
基于InAs/GaAs量子点中间带太阳电池(QD-IBSC)结构和载流子漂移扩散理论建立了计算电流密度与静电势的数学模型，从理论上分析了量子点中间带太阳电池的电压电流特性，定量讨论了量子点层厚度、温度以及n型掺杂对电压电流特性的影响。模拟结果表明：在i层厚度取400nm......
[期刊论文] 作者：袁国亮, 王琛皓, 唐文彬, 张睿, 陆旭兵,
来源：物理学报 年份：2020
大数据、物联网和人工智能的快速发展对存储芯片、逻辑芯片和其它电子元器件的性能提出了越来越高的要求。本文介绍了HfO2基铁电薄膜的铁电性起源，通过掺杂元素改变晶体结构的对称性或引入适量的氧空位来降低相转变的能垒可以增强HfO2基薄膜的铁电性，在衬底和电极......
,Strain-induced insulator-metal transition in ferroelectric BaTiO3 (001) surface:First-principles st
[期刊论文] 作者：杨林,王长安,刘聪,秦明辉,陆旭兵,高兴森,曾敏,刘俊明,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2016
The electronic properties of TiO2-terminated BaTiO3 (001) surface subjected to biaxial strain have been studied using first-principles calculations based on den...
[会议论文] 作者：汤振杰,陆旭兵,杨玉鹏,张静,马东伟,李荣,张希威,胡丹,李廷先,
来源：2016第九届全国大学生创新创业年会 年份：2016
采用不同的(ZrO2)x(SiO2)1x薄膜(x=1.0,0.92,0.79,0.63,0.46,0.28,0.17和0.08)作为电荷存储层制备了电荷陷阱闪存器件.研究了存储窗口、数据保持性能及写入/擦除速度等存储性能对薄膜组分x的依赖关系.结果 表明,当x=0.63时,器件的性能最佳.±10V扫描电压范围,存......
,Temperature dependences of ferroelectricity and resistive switching behavior of epitaxial BiFeO3 th
[期刊论文] 作者：芦增星,宋骁,赵丽娜,李忠文,林远彬,曾敏,张璋,陆旭兵,吴素娟,高兴森,严志波,刘俊明,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
We investigate the resistive switching and ferroelectric polarization properties of high-quality epitaxial BiFeO3 thin films in various temperature ranges. The...
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