本文导出了法向入射时,稳态激光等离子体中的电场强度和等离子体标度长度的解析表达式,揭示了达到稳态所需的时间对入射光场强的依赖关系.所得的结果与实验和计算机模拟很好地符合.
介绍了垂直沉降法和旋涂法制备SiO2胶体晶体, 并对两种方法制备的胶体晶体在宏观形貌、微观结构及光子带隙性质进行了比较。采用改进的Stober法在乙醇介质中合成粒径不同、单分散性较好的SiO2微球, 用垂直沉积法和旋涂法制备出有序性较好的密排结构的SiO2胶体晶体。宏观照片表明, 用旋涂法制备的SiO2胶体晶体经白光照射出现的光柱呈6次对称, 而垂直沉降法制备的胶体晶体表面出现条纹。SEM分析表明, 选用不同溶剂在同等旋涂工艺下制备SiO2胶体晶体, 用乙醇和乙二醇混合溶液作溶剂制备出的SiO2胶体晶体质
病毒性心肌炎的发病机制至今仍未完全阐明，故目前本病的治疗仍局限于对症处理。众多的临床及实验研究均已证实，无论在本病的急性期、慢性期甚至在扩张型心肌病的晚期心肌内均存在着病毒的持续感染。本文就心肌中病毒持续感染存在的依据、产生的机制及在本病发生与发展中的作用作了综述。相信随着对这些问题的进一步阐明，将会给本病的治疗及预后的改善开辟广阔的前景。
采用高温固相法合成了LiSrPO4∶Tb3 发光材料，测定了荧光粉的激发光谱和发射光谱，该荧光粉的激发主峰位于330~390 nm，属于4f→4f电子跃迁吸收，与UVLED管芯相匹配。在紫外激发下的发射峰由位于490 nm(5D4-7F6)、545 nm(5D4-7F5)、585 nm(5D4-7F4)、622 nm(5D4-7F3)的四组线状峰构成，对应Tb3 的特征跃迁，其中545 nm处最强，呈现绿色发光。考察了掺杂离子浓度对样品发光效率的影响，Tb3 的最佳掺杂摩尔分数为9%，分析了其自身浓度猝灭
采用热蒸镀法，在石英基底上制备了不同化学组分的Ge
xAs
ySe
1-x-y 硫系玻璃薄膜，并对其拉曼光谱进行测量，旨在分析化学组分对薄膜内部结构的影响。分析了波数位于100~350 cm
-1范围内薄膜拉曼光谱的演变，用高斯曲线对拉曼光谱进行分峰拟合。结果表明，样品在190 cm-1 处Ge-Se 振动模式随着Ge 和As 含量的增加而变强；随着平均配位数(MCN)的增加，As-Se 振动模式减弱，位于225 cm
用X射线连续谱仪(K边多道法)测定了宽频带激光打靶产生的等离子体的电子温度。结果表明, 两种带宽的激光打靶产生的热电子温度很相近(在420～500eV范围内);而宽带打靶产生的超热电子温度要比窄带打靶产生的低些。
利用电子束蒸镀在石英玻璃上制备出Ga掺杂的SnO2(SnO2∶Ga)薄膜。结合X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见-近红外分光光度计和光致发光谱, 研究了不同退火温度对薄膜的结构与发光特性的影响。研究结果表明: 当退火温度超过500℃, 薄膜呈现四方金红石结构, 随着退火温度的提高, 晶粒尺寸增大, 薄膜的禁带宽度变宽, 发光强度逐渐增加, 成功制备出发蓝紫光的SnO2∶Ga薄膜。薄膜样品在700℃下退火后光致发光强度显著增强, 这是因为随着退火温度的升高, SnO2∶Ga薄膜的非辐射中心减少, 有利于
针对基于指示单光子源的测量设备无关量子密钥分配协议存在基的依赖性问题和信源统计波动问题,研究了基于服从泊松分布的指示单光子源和轨道角动量的量子密钥分配协议,并进行了统计波动分析。分析了对称信道和非对称信道下,该协议的单边传输效率、密钥生成速率与安全传输距离的关系,模拟了信源的统计波动对该协议密钥生成速率和传输距离的影响。仿真结果表明,应用轨道角动量编码解决了该协议基的依赖性问题,提高了密钥生成速率和安全传输距离。统计波动对该协议密钥生成速率的影响随着传输距离的增大而扩大,在脉冲数量相同时,非对称信道下的密