【摘 要】
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利用脉冲激光沉积的方法生长了一系列铌掺杂浓度的外延钛酸钡薄膜BaTi1-xNbxO3,(0≤x≤0.5)(以下简称BTNO),并首先通过对其形貌和结构的表征保证BTNO薄膜的高外延质量.不同掺杂浓度的BTNO薄膜电阻率随温度变化呈现出不同的变化趋势,反映出随着掺杂浓度的不同,导电机制也发生了由半导体导电到金属性导电的转变,实现对BTO材料从绝缘体到半导体甚至到金属性导电的可靠调控.通过对BTNO薄
【机 构】
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华南师范大学先进光电子研究院,广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州 510006 南京大学固体
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利用脉冲激光沉积的方法生长了一系列铌掺杂浓度的外延钛酸钡薄膜BaTi1-xNbxO3,(0≤x≤0.5)(以下简称BTNO),并首先通过对其形貌和结构的表征保证BTNO薄膜的高外延质量.不同掺杂浓度的BTNO薄膜电阻率随温度变化呈现出不同的变化趋势,反映出随着掺杂浓度的不同,导电机制也发生了由半导体导电到金属性导电的转变,实现对BTO材料从绝缘体到半导体甚至到金属性导电的可靠调控.通过对BTNO薄膜电阻率-温度特性的实验数据和理论拟合对薄膜的导电行为进行了分析1,2.通过霍尔效应的测试可以得出不同掺杂浓度的BTNO薄膜载流子迁移率和载流子浓度随温度变化的特性,这也为理解BTNO薄膜的导电行为提供了重要的实验证据.
其他文献
氧化锌(ZnO)因其高的室温激子激活能成为了紫外光电器件中极具潜力的半导体材料.ZnO 基发光二极管(LED)和激光器也得到了广泛研究.通常，沿c 方向生长的ZnO 基LED 器件存在自发极化和压电极化导致量子效率降低的问题，使LED 沿非极性方向外延生长则可以消除此问题.利用金属有机物化学气相沉积和脉冲激光沉积技术，我们首次在r 面蓝宝石衬底上制备出的非极性a 面n-ZnO/p-AlGaN 异质
采用水热腐蚀法制备的硅纳米孔柱阵列是具有多层次结构的硅微米/纳米复合结构体系，具有广谱光吸收、比表面积大、发光强度强的特点。通过改变腐蚀液中HF 和Fe(NO3)3 的浓度，可以实现对硅柱面密度及形貌的调控。为实现对硅纳米孔柱阵列表面形貌的有效调控，本文通过对原始单晶硅片进行离子注入并进行退火处理，研究了离子注入条件对水热腐蚀硅微纳米结构的影响。
In our experiment,it was observed that the emission of direct-gap band in germanium with Ge-GeSn layers on one-dimensional(1D)structure.The results of experiment and calculation demonstrate that the u
在有效质量近似下，运用变分法研究了外电场和压力作用下半导体球形量子点GaN/AlxGa1-xN 的子带线性和非线性光吸收系数及其压力效应，且获得了基态和第一激发态的波函数和能级。数值计算了一阶线性、三阶非线性和总的吸收系数随外加电场、组分、量子点尺寸以及光强的变化关系。
One-dimensional InAs nanowires(NWs)have been widely researched in recent years.Features of high mobility and narrow bandgap reveal its great potential of optoelectronics applications.However,most repo
随着发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)、高频晶体管等半导体器件的迅速发展,InN已经被证实是一种非常重要的Ⅲ族氮化物半导体材料.InN 的带隙为0.7eV,具有立方(c-InN)和六方(h-InN)结构.本文采用自己搭建的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统,分别以金属In和N2 作为In 源和N 源,H2 作为运载气体,并用物理蒸镀的Au 膜作为催化剂,对InN 纳米线的生长进行
High performance quantum cascade lasers(QCL)are attractive as solid state terahertz(THz)sources with the advantages of having a compact footprint,narrow line width and reasonable optical power.QCL wit
近年,GaN 基LED 因具有寿命长、无辐射与低功耗等优良特性,在显示、背光源和白光照明等方面具有广阔的应用前景1.但GaN 基LED 的发光效率比较低,特别是在高驱动电流下存在效率下降(Efficiency Droop)的现象,这成为发展高效率、大功率照明技术的枢纽瓶颈.因此,如何抑制高驱动电流下的Efficiency Droop 已成为科学家们研究的一个重点.
巨介电材料在微电子器件及高密度存储应用方面的巨大潜力使其受到研究者们越来越多的关注.Hu等人采用传统的固相烧结工艺制备的(Nb0.5In0.5)xTi1-xO3陶瓷获得了目前文献报道中最为优异的介电性能：巨介电常数(ε＞104,1000 Hz)和低介电损耗(tanδ=0.05,1000 Hz).但是由于In元素价格比较昂贵,导致陶瓷制备成本较高,不利于工业化生产.
Recently high-Curie point relaxor ferroelectric single crystals,represented by the Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3(PMN-PIN-PT)and(1-x)Pb(In1/2Nb1/2)O3–xPbTiO3(PINT,PINTx),attracted much atten