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[学位论文] 作者：李培咸,,
来源： 年份：2011
III族氮化物半导体材料以其优异的特性正在发挥着越来越广泛的作用。以GaN基蓝光、绿光及深紫外LED为核心技术的半导体照明技术正在引领着一场新的产业革命。经过近十几年的...
[期刊论文] 作者：李培咸,郝跃,,
来源：光子学报 年份：2007
利用方势阱模型对Inx Ga1-xN／GaN MQWs结构的光特性进行了量子力学定性理论分析．并在MO源流量恒定条件下，在570℃～640℃范围内进行了不同生长温度的多量子阱制备实验，对Inx Ga1-xN...
[期刊论文] 作者：李培咸,郝跃,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2006
本文提出了一种新型的MOCVD恒流配气系统，该配气系统可有效地稳定控制温度和压力等关键工艺条件，在多层复杂结构的生长中改善材料质量。本文给出了该配气系统同传统配气方式生......
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,
来源：光子学报 年份：2000
基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟分析，模拟结......
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,
来源：光子学报 年份：2000
基于光激活物质空间迁移长度的概念，推导出方形反应空间中到达基片上单位面积的光激活物质总数的解析表达式，对光化学汽相沉积中淀积速率和基片位置的关系进行了模拟和分析． 模......
[期刊论文] 作者：范隆,李培咸,郝跃,
来源：半导体学报 年份：2003
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用 ,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气 (2DEG)迁移率的散射模型 .计算了在不同沟道电子面密度下 ,界面态电荷密度与其所...
[期刊论文] 作者：刘坚斌, 李培咸, 郝跃,,
来源：量子电子学报 年份：2005
GaN基蓝光LED高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光LED器件结构的发展,阐述了为了改善LED性能的一些新措施、LED在照明光源上的应用优势,给出了...
[期刊论文] 作者：赵广才,李培咸,郝跃,,
来源：发光学报 年份：2010
使用熔融的KOH在高温下对C面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀，借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征，然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上......
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,胡辉勇,
来源：光子学报 年份：2002
本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过...
[期刊论文] 作者：李培咸,孙建诚,胡辉勇,
来源：真空科学与技术 年份：2002
介绍了用于生长SiGe材料的3UCVD设备的简要情况.对3UCVD工艺系统构建了神经网络模型;基于误差反向传播(BP)学习算法设计了一种自动调整网络结构和训练精度的网络训练方法;利...
[期刊论文] 作者：刘毅,赵广才,李培咸,,
来源：电子科技 年份：2010
采用Silvaco软件,利用二维有限元方法,仿真得到LED的电学等特性。比较3种不同尺寸的LED器件内的电流分布,得到电流密度与L的关系曲线,发现减小电流扩展长度L可提高电流的均匀...
[期刊论文] 作者：史会芳,李培咸,李慧,,
来源：电子科技 年份：2010
使用扫描电子显微镜、高分辨率X射线衍射、Raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的AlGaN样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,AlN缓冲层的晶体质量...
[期刊论文] 作者：周小伟,李培咸,郝跃,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2009
采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlGaN薄膜,高分辨率XRD测试发现,随Al组分的...
[期刊论文] 作者：龚欣, 张进城, 郝跃, 李培咸,,
来源：微电子学 年份：2004
采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响.结果表明,其...
[期刊论文] 作者：杨燕,郝跃,张进城,李培咸,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2004
GaN基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有应用潜力.对GaN半导体材料作了比较和讨论,说明了GaN材料在微波大功率应用方面的优势,并阐述了新型GaN基微波器件的最新...
[期刊论文] 作者：范隆,张进城,李培咸,郝跃,
来源：半导体学报 年份：2004
根据荷电中心与自由载流子间的库仑散射作用,给出了异质结辐射感生界面态电荷对二维电子气(2DEG)迁移率的散射模型.计算了在不同沟道电子面密度下,界面态电荷密度与其所限制...
[期刊论文] 作者：高志远,郝跃,李培咸,张进城,,
来源：半导体学报 年份：2008
用阴极射线致发光（CL）法、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系．结果表明，GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心，但G......
[期刊论文] 作者：杨卓,李培咸,张锴,周小伟,
来源：电子科技 年份：2014
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长InGaN量子阱结构太阳能电池,并制作出了不同间距和形状的指叉形状p型电极.通过实验对比发现,随着指叉间距的减小,电极面积增加,光吸收面积减...
[期刊论文] 作者：白俊春,李培咸,郝跃,杜阳,,
来源：电子科技 年份：2009
针对某高校自主研发的120型GaN—MOCVD系统反应室的流场，进行了计算流体力学（CFD）数值模拟。在模拟过程中，讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温......
[期刊论文] 作者：高志远,郝跃,李培咸,张进城,,
来源：中国科学(E辑:技术科学) 年份：2009
通过改变MOCVD生长GaN反应的V/III比来改变横/纵向生长速度比,以此来研究两步法中高温GaN层的横向生长对材料结构性质的影响.透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)实验的研究...
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