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[期刊论文] 作者：李含雁, 冯进军,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2018
采用紫外光刻电铸和微成型(UVLIGA)技术制造太赫兹真空器件的高频结构,频率为94~220GHz。对于94GHz高频结构,尺寸误差≤15μm,采用此高频结构的脉冲行波管输出功率大于100W;1...
[期刊论文] 作者：潘攀,李含雁,冯进军,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2015
在太赫兹频段,折叠波导慢波结构的损耗很大,因此需要在设计220GHz 折叠波导行波管慢波结构时进行深入研究.首先通过软件仿真的方法预测了慢波结构的^参数,然后利用紫外光刻、...
[期刊论文] 作者：李含雁,冯进军,白国栋,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2011
简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细...
[会议论文] 作者：李含雁,冯进军,唐烨,蔡军,,
来源：真空电子技术 年份：2013
当工作频率升高至太赫兹频段时,真空器件的结构尺寸缩小至毫米级甚至微米级.传统的精密加工方法已经不能满足要求,这就要求采用新的加工技术即微细加工技术以保证很高的尺寸...
[期刊论文] 作者：李含雁,白国栋,李兴辉,唐烨,冯进军,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2013
紫外光刻、电铸和注塑（UV-LIGA）技术是制作太赫兹真空电子器件（包括谐振腔、电子注通道和输出波导等）的重要方法。采用uV—LIGA技术制作340GHz折叠波导慢波结构，研究前烘、曝光量......
[期刊论文] 作者：李兴辉, 白国栋, 李含雁, 丁明清, 冯进军,,
来源：微波学报 年份：2015
本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极...
[会议论文] 作者：潘攀,刘京恺,李含雁,胡银富,冯进军,
来源：第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2014
为了正确设计220GHz折叠波导行波管,必须先进行220GHz折叠波导行波管慢波结构的损耗研究。通过软件仿真和样品冷测,确定该慢波结构的等效电导率及其衰减系数。研究结果表明,...
[会议论文] 作者：李含雁;白国栋;蔡军;胡银富;冯进军;,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十七届学术年会暨军用微波管研讨会 年份：2009
深反应离子刻蚀是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔，电子注通道和输出波导等)的方法之一，本文研究了在深反应离子刻蚀中，工艺气体的流量和气压、下电极射频电源功率、刻蚀/钝......
[期刊论文] 作者：冯进军,蔡军,胡银富,瞿波,李含雁,唐烨,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
简要介绍了利用折叠波导慢波结构的太赫兹真空辐射源的发展现状，重点对折叠波导慢波结构的特点进行了研究，并利用这种慢波结构开展了W、D波段行波管，W波段和650GHz返波振荡器，560......
[期刊论文] 作者：胡银富, 冯进军, 潘攀, 蔡军, 杜英华, 李含雁,,
来源：空间电子技术 年份：2013
针对目前系统应用对于220GHz频段的大功率辐射源的需求，文章设计了一种折叠波导行波管，在215GHz～225GHz的带宽范围内能够输出10W以上的功率，增益大于25dB。通过模拟计算确定了折...
[期刊论文] 作者：丁明清,陈长青,白国栋,李含雁,冯进军,胡银富,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2011
利用引进的6 kW微波等离子体化学气相沉积设备,进行了无支撑金刚石膜工艺的初步研究。在800~1050℃的基片温度范围内,金刚石膜都呈(111)择优取向;基片相对位置对沉积较大面积...
[期刊论文] 作者：李兴辉, 白国栋, 李含雁, 丁明清, 冯进军, 廖复疆,,
来源：真空电子技术 年份：2015
本文综述了Spindt阴极、碳纳米管、碳纤维等场发射阴极的发展历史及国内外最新研究进展,以及以场发射阴极作为电子源,在行波管、X射线管、显示器件、太赫兹真空器件及真空纳...
[会议论文] 作者：丁明清,李兴辉,白国栋,张甫权,李含雁,冯进军,
来源：第八届真空技术应用学术年会 年份：2005
本文重点介绍一种带集成栅极的碳纳米管场发射阴极(CNTFEA)的制造工艺.研制了两种类型的栅控CNTFEA.一种是在微孔的底部生长CNT,另一种则是在孔底部预先沉积的M尖上制备CNT发...
[会议论文] 作者：潘攀, 李含雁, 唐烨, 李天一, 张琳, 刘世硕, 蔡军,,
来源： 年份：2004
本文介绍了中国电子科技集团公司第十二研究所正在开展的340GHz行波管的研制工作。该器件采用微加工的折叠波导慢波结构、周期永磁系统聚束的圆形截面电子注和采用金刚石窗片...
[期刊论文] 作者：李含雁,丁明清,冯进军,李兴辉,张甫权,白国栋,
来源：真空电子技术 年份：2006
对Spin＆阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷，所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后，立刻沉积ZrC薄膜，其中，ZrC厚度为5～10nm......
[期刊论文] 作者：李兴辉,白国栋,李含雁,丁明清,冯进军,廖复疆,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2015
Spindt型场发射阴极,在初期老炼过程中容易失效,其表现为发射尖锥和栅极间短路、漏电,或是真空电弧损伤。引起Spindt阴极失效的一个主要原因,分析认为是存在于发射尖锥表面、...
[期刊论文] 作者：李兴辉,白国栋,李含雁,丁明清,冯进军,廖复疆,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2013
在Spindt场发射阴极制作工艺流程中,剥离层对于形成良好的发射尖锥形状至关重要,同时它也是实现阴极阵列中尖锥均匀性的关键因素。本文研究了几种常用的剥离层材料包括金属铜...
[会议论文] 作者：李兴辉;白国栋;李含雁;丁明清;冯进军;廖复疆;,
来源：中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会 年份：2013
以大电流强发射为特点的Spindt阴极,在初期老炼时容易由于短路、漏电和打火而失效.分析认为引起失效的一个重要原因,是在双向沉积尖锥及牺牲层剥离过程中,金属碎屑在发射尖锥...
[会议论文] 作者：李含雁,白国栋,李兴辉,蔡军,胡银富,冯进军,
来源：第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会 年份：2012
UV-LIAG技术是制作太赫兹真空电子器件(包括谐振腔，电子注通道和输出波导等)的方法之一，本文研究了在UV-LIAG技术中，曝光量对SU-8胶模的影响分析原因，得出最佳工艺，并对340GHz......
[期刊论文] 作者：冯进军,蔡军,胡银富,李含雁,杜英华,唐烨,李莉莉,潘攀,,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2015
介绍了太赫兹频段真空电子器件的研究和开发进展,包括慢波结构理论、设计、模拟及优化,微加工和微组装技术,整管技术等.这些器件包括行波管、返波管、斜注管、止带振荡器及行...
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