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[期刊论文] 作者：卞吉,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1993
由我校低能所李国辉副研究员主持,刘伊犁教授、姬成周副研究员和GaAs新器件课题组参加完成的国家自然科学基金项目“GaAsIC中的离子注入和白光快速退火技术”,近日通过了国...
[期刊论文] 作者：姬成周,
来源：物理 年份：1975
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[期刊论文] 作者：姬成周,W.L.Roth,,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1986
用（P,P′γ）和1H(15N,αγ)12C反应以及He+离子背散射方法分析了β-氧化铝陶瓷样品。结果表明,其近表面区域Na/Al比值为0.07-1.16;O/Al比值为1.23-4.33。钠含量平均比单晶体多3...
[期刊论文] 作者：张燕文,姬成周,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的电特性进行了比较,认为MeV硅离子注入砷化镓...
[期刊论文] 作者：张燕文,姬成周,
来源：半导体学报 年份：1995
从电特性，激活能，应力和剩余损伤几个方面，对ＧａＡｓ晶体中心较大剂量注入的ＭｅＶ硅原子在一步快退火，两步快退火下的行为进行了分析，经过两步快退火处理的样品，剩余位错密度降低，晶格应力消除，注......
[期刊论文] 作者：姬成周,宁小光,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1997
用高分辨电镜可以看到强束流钇注入铝、铁注入银样品中析出的纳晶与基体之间相界清楚，界面附近原子排列连贯，没有过渡相，由于银和铁的结构特点，铁沉淀在单晶银中呈球形或棒形，并有......
[期刊论文] 作者：姬成周,王安民,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1996
报导大束流密度条件下Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｖ，Ｗ等难熔金属离子注入纯Ａｌ中的原子相对浓度分布和有关数据。简单讨论了束流加热及缺陷相关效应和化学反应对相对浓度分布形状的影响。......
[期刊论文] 作者：姬成周,王安民,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1999
用三扫描极化测量，背散射和电镜方法研究了离子束混合Ａｌ（Ｔｉ），Ａｌ（Ｐｄ）非晶合金层在ＮａＨＣＯ３溶液中的印化，Ｔｉ３５Ａｌ６５的腐蚀速度为纯铝的１／２４，而Ｐｄ３０Ａｌ７０的腐蚀速率比纯铝增大了４４％。......
[期刊论文] 作者：姬成周,张燕文,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1993
采用不同注量和注入顺序的ＭｅＶ能量的Ｐ＾＋（３ＭｅＶ，１×１０＾１４～３×１０＾１４ｃｍ＾－２）与ＭｅＶ能量的ＳＩ＾＋（３ＭｅＶ，１×１０＾１４ｃｍ＾－２）共注入于ＳＩ－ＬＥＣ ＧａＡｓ晶体中。对不同退火条件的共注入样品的有源层电特性、载流子浓度分布、晶格的损伤和恢复状况以及剩余......
[会议论文] 作者：姬成周,张燕文,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：姬成周,宁小光,
来源：’94秋季中国材料研讨会 年份：2004
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[期刊论文] 作者：姬成周,W.Roth,R.Benenson,
来源：核技术 年份：1986
钠-硫高效蓄电池的问世,促进了固体中离子导电现象和固体离子导体材料,特别是β-NaAl_(11)O_(17)的研究.β-NaAl_(11)O_(17),是实用性能良好的钠离子导体,它的表面结构和成...
[期刊论文] 作者：李国辉,姬成周,
来源：原子核物理评论 年份：1997
在ＧａＡｓ集成电路和器件研制中，离子注入是关键技术之一，介绍了用离子注入ＧａＡｓ形成ｎ型和ｐ型区，以及离子注入ｐ型和ｎ型ＧａＡｓ形成绝缘层、形成ｎ＾＋ＧａＡｓ深埋层等重要技术，对有关物理机制进行了讨论并提出了一些新......
[期刊论文] 作者：廉德亮,姬成周,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1994
在Ｍｇ注入形成的Ｐ型ＧａＡｓ材料上，用预热和快速两步退火方式形成ｐ型欧姆接触。用传输线方法（ＴＬＭ）测量比接触电阻，得到最佳值３．７３×１０＾－５Ω．ｃｍ＾２，用在ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ器件上，性能良好。......
[期刊论文] 作者：姬成周,张通和,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1991
用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有工业应用价值的强流离子源.讨论了注入原子的...
[期刊论文] 作者：张通和,姬成周,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1991
Ti 注入钢的射程参数(1～1000keV)是用 TRIM87程序计算而得到的.考虑到高注量注入溅射效应的影响,利用 Schuilz 模型计算了 Ti 注入钢和 Al 中浓度分布.对此模型中饱和注量与离...
[期刊论文] 作者：姬成周,张通和,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1990
高注量(>3×10~(17)cm~(-2))钛离子注入铝时,靶样品的温度明显地改变钛原子的浓度分布。靶温度超过400℃时,析出相为金属间化合物Al_3Ti。用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源...
[期刊论文] 作者：姬成周,李国辉,
来源：微电子学与计算机 年份：1989
在超高真空条件下,GaAs衬底上淀积钨、硅多层夹层膜,用快速白光辐照形成单一化学相的W_5Si_3肖特基接触。其势垒高度好于0.7V。按Si/W=0.6淀积单层硅、钨膜,能观察到的硅化物...
[期刊论文] 作者：吴小山,姬成周,等,
来源：核技术：英文版 年份：1994
The Rutherford backscattering (RBS) spectra of N^+-implanted GaAs are measured with a He^+ ion beam of 2.1MeV.The backscatteering yield along aligned incid...
[会议论文] 作者：李国辉,姬成周,
来源：第六届全国固体薄膜学术会议 年份：1998
该文研究了用UTT－40型超高真空镀膜机蒸发形成的多晶硅薄膜的高子注入掺杂和退火特性，并用多晶硅发射极制作了新型的高灵敏度光电晶体营，当人射光功率为44nw时，光电增益达到了338......
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