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从电特性,激活能,应力和剩余损伤几个方面,对GaAs晶体中心较大剂量注入的MeV硅原子在一步快退火,两步快退火下的行为进行了分析,经过两步快退火处理的样品,剩余位错密度降低,晶格应力消除,注入区的结晶品质得到改善,硅原子替位所需激活能较小,提高了注入杂质电率和迁移率,降低了薄层电阻,两步快退火使注入杂质在大多数辐射损伤消除后更易激活,特别适用于大剂量MeV硅注入后的退火处理。