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报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的电特性进行了比较,认为MeV硅离子注入砷化镓衬底的退火行为可以分为损伤恢复和杂质激活两步,其杂质激活与点缺陷的运动有关。从能量角度分析了两步快退火优于一步快退火的原因。
MeV Si~+注入SI-GaAs的激活能研究
【摘 要】
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报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的电特性进行了比较,认为MeV硅离子注入砷化镓
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所100875,100875,100875
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目
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