采用低压和高压技术生长的LEC GaAs晶体的直接比较

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美国Texas仪器公司对非掺杂低压和高压LEC SI-GaAs单晶的性能和离子注入特性进行了直接的比较。尽管高压LEC的特性以前作过较充分的介绍,但有关低压LEC材料的质量研究还是第一次。研究的结果表明,这两种材料在结构质量,纯度及直接离子注入形成的导电 Texas Instruments USA conducts a direct comparison of the performance and ion implantation characteristics of undoped low-voltage and high-voltage LEC SI-GaAs single crystals. Although the characteristics of high-pressure LEC have been more fully described before, the quality of low-pressure LEC materials is still the first. The results show that the two materials in the structure of the quality, purity and direct ion implantation to form the conductive
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