砷化镓集成电路的发展

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本文介绍GaAsIC的开发情况,并对几种GaAsIC的特征结构作一比较。首先,介绍GaAs逻辑电路、存储器和线性电路的开发情况,并阐述高电子迁移率GaAsIC。然后,说明GaAsIC对衬底的要求及GaAsIC的发展趋势。 This article describes the development of GaAsIC and compares several features of GaAsIC. First, we introduce the development of GaAs logic circuits, memories and linear circuits, and explain GaAsIC with high electron mobility. Then, the GaAsIC substrate requirements and GaAsIC development trend.
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