【摘 要】
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将介绍在80℃和4.5V条件下,RAS之后典型读取时间为59ns的256k NMOS DR-AM(图1)。在测试装置所限制的周期速度为55ns时,得到了图2所示的页面型读出和写入周期。 获得这一性能
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将介绍在80℃和4.5V条件下,RAS之后典型读取时间为59ns的256k NMOS DR-AM(图1)。在测试装置所限制的周期速度为55ns时,得到了图2所示的页面型读出和写入周期。 获得这一性能的一个关键因素是采用三重扩散LD~3 NMOS晶体管结构,即双扩散
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