分子电镀法制备~(232)Th靶

来源 :中国原子能科学研究院年报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kingorbread
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为满足测定232Th(α,2n)234U反应截面的需求,需在2μm和8μm厚的Al衬底上制备232Th的薄靶,要求靶厚100~200μg/cm2,不均匀性小于5%。为此,本工作采用分子电镀法,研究并选 In order to meet the requirement of measuring 232Th (α, 2n) 234U reaction cross section, 232Th thin targets need to be prepared on 2μm and 8μm thick Al substrates. The target thickness is 100-200μg / cm2 and the non-uniformity is less than 5%. To this end, this work using molecular plating method, research and selection
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