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采用原子层沉积方法以臭氧为氧源，分别在si和K-9玻璃衬底沉积Sn掺杂ZnO薄膜。系统研究了sn掺杂浓度对ZnO薄膜成分、晶体结构及光电性能的影响。XRD分析表明：所制备SnZO薄膜具有垂直于衬底表面的c轴择优取向。XPS分析表明：在ZnO中掺杂离子以Sn4＋形式存在。Hall分析表明Sn是一种有效的施主掺杂元素，其通过置换Zn2＋位置释放导电电子。当sn掺杂浓度为1．8at％时，Hall测试表明ZnO薄膜具有最低电阻率为9．5×10-4Ω·cm，载流子浓度达到最高值为3．2×