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  5. Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice te

Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice te

来源 :中国物理B:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：axcom
【摘 要】
：
It is observed that the radiative recombination rate in InGaN-based light-emitting diode decreases with lattice temperature increasing.The effect of lattice tem
【作 者】
：
高江东 张建立 全知觉 刘军林 江风益 
【机 构】
：
NationalInstituteofLEDonSiliconSubstrate
【出 处】
：
中国物理B:英文版
【发表日期】
：
2020年4期
【关键词】
：
InGaN-based LIGHT-EMITTING DIODE carrier recombination ABC-model LATTICE TEMPERA 
【基金项目】
：
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51602141,11674147,61604066,11604137,and 21405076),the National Key Research and Development Project of China(Grant Nos.2
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It is observed that the radiative recombination rate in InGaN-based light-emitting diode decreases with lattice temperature increasing.The effect of lattice temperature on the radiative recombination rate tends to be stable at high injection.Thus,there sh
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