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为实现在100mm直径硅衬底上金属有机物化学气相外延（MOCVD）生长无裂纹GaN，系统研究了预铺铝时间参数对A1N成核质量的影响、不同厚度条件下AIN层对GaN生长的影响以及A1组分渐变的A1GaN缓冲层对GaN裂纹抑制的效果。实验结果表明，适当的预铺铝时间可以显著提高A1N成核层晶体质量，合理的A1N层厚度有助于上层GaN的生长．A1N与GaN之间A1GaN缓冲层的引入可以有效抑制GaN裂纹的产生。最后，采用高分辨率x射线衍射（HRXRD）测试了MOCVD外延生长的无裂纹GaN材料，得到A1N（002