中子嬗变掺杂单晶硅的电学性能研究

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本工作用霍尔系数-电阻率测量,研究了不同原始单晶硅和掺杂温度对NTD Si在高温退火过程中电学性能回复的影响。本文给出了几种NTD Si的自由载流子浓度和迁移率的等时退火曲线和各种特征温度,并对实验结果作了简要讨论。 In this work, the influence of different original monocrystalline silicon and doping temperature on the recovery of electrical properties of NTD Si during high temperature annealing was investigated by Hall-coefficient-resistivity measurement. In this paper, the isochronal annealing curves and various characteristic temperatures of free-charge carriers and mobilities of several NTD Si are given and the experimental results are briefly discussed.
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