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变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度
变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度
来源 :实验科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chairy01
【摘 要】
:
文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77~400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁
【作 者】
:
符斯列
王春安
陈俊芳
【机 构】
:
华南师范大学物理与电信工程学院,广东技术师范学院电子与信息学院
【出 处】
:
实验科学与技术
【发表日期】
:
2010年02期
【关键词】
:
变温霍尔效应
n型标准锗样品
禁带宽度
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文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77~400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为lg(|RH|T3/2)-1/T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。
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