半导体化纳米铝及铝合金薄膜霍尔效应的研究

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本文利用真空蒸发镀膜方法,在玻璃基片上蒸镀铝薄膜。测量了铝膜的电阻率和霍尔效应参数。对铝膜样品进行退火处理,研究退火对材料电阻率、霍尔效应的影响。用扫描电子显微镜(SEM)对退火前后的表面形貌进行观察。真空蒸发方法制备的铝膜表面均匀、致密、连续性好。不同厚度的薄膜,晶粒尺寸不同,较厚的薄膜晶粒尺寸较大,表面也更为粗糙。用四探针方法测量了不同厚度的铝膜的电阻率,随厚度的增大,电阻率逐渐减小。说明表面和晶界对电子的散射效应减弱,导致电子迁移率提高,进而使电阻率减小根据霍尔效应原理设计并组装了测量霍尔电压的实验装置,分别对不同厚度的铝膜进行了霍尔电压测量。发现所测样品的霍尔系数均比块状金属铝的霍尔系数大,且随铝膜厚度的减小,霍尔系数逐渐增大,说明减小铝膜的厚度可以降低载流子的浓度,从而增大材料霍尔系数。对铝膜进行退火处理后,薄膜的晶粒尺寸增大,缺陷减少,表面趋于平滑。薄膜的电阻率随退火温度的升高逐渐减小,说明随退火温度升高,晶粒尺寸逐渐增大,缺陷浓度逐渐减小,晶界和晶格缺陷对载流子的散射减弱,从而使电阻率逐渐减小。薄膜的霍尔系数随退火温度升高逐渐减小,说明退火影响了薄膜的载流子浓度。
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