英特尔美光公布新存储芯片 速度是现有闪存千倍

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英特尔和美光科技在7月26日宣布,他们已开发出了一种新型存储芯片,能够大幅提升计算机、智能机以及其它类型高科技产品的性能。英特尔和美光称,他们计划在明年开始销售这种芯片。该芯片的速度最高可达到当前多数移动设备所用NAND闪存芯片的1000倍,可存储的数据容量是主流DRAM内存芯片的10倍。 Intel and Micron announced on July 26 that they have developed a new type of memory chip that will dramatically improve the performance of computers, smartphones, and other types of high-tech products. Intel and Micron said they plan to start shipping the chips next year. The chip speeds up to 1000 times the current NAND flash memory chips used by most mobile devices, can store 10 times the data capacity of mainstream DRAM memory chips.
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