【摘 要】
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采用Ga/AsCl_3/H_2体系,用SnCl_4作掺杂剂,已生长了用于双栅FET的n~+-n-n~-多层外延材料.在一次外延生长中连续生长的n~+-n-n~-多层外延材料的外延层厚度和载流子浓度的均匀
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采用Ga/AsCl_3/H_2体系,用SnCl_4作掺杂剂,已生长了用于双栅FET的n~+-n-n~-多层外延材料.在一次外延生长中连续生长的n~+-n-n~-多层外延材料的外延层厚度和载流子浓度的均匀性良好.用该材料制作的双栅FET的微波特性也有明显改善.在2GHz和8GHz下,NF分别为0.9dB和2.8dB,相关增益G_a分别为15.5dB和18dB.
N ~ + -nn ~ - multi-layer epitaxial materials for double-gate FETs have been grown using Ga / AsCl_3 / H_2 system with SnCl_4 as the dopant.A series of n ~ + -nn ~ - The multilayer epitaxial layer has good uniformity of epitaxial layer thickness and carrier concentration.The microwave characteristics of the dual-gate FET fabricated with this material have also been significantly improved with NF at 0.9 and 2.8 dB at 2 GHz and 8 GHz, respectively The gain G_a is 15.5dB and 18dB, respectively.
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