W阻挡层对Al／TiSi2／Si接触系统热稳定性的影响

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dsfsdfdfdsf

【摘要】

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用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完

【作者】

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周凤蛟周南生

【机构】

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西安电子科技大学,西安电子科技大学710071,710071,710071

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

1992年2期

【关键词】

：

阻挡层硅化物热稳定性退火 Barrier Layer Silicide Schottky Barrier Thermostability Annealin

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用X射线衍射及I—V测量技术研究了W在Al/TiSi_2/Si接触系统中的作用,并与不加W阻挡层的情况作了比较。热稳定性的研究表明:在高达100℃退火时,W阻挡层能够阻止Al与TiSi_2的完全反应。对Al/W/TiSi_2/Si接触二极管的I—V测试表明,在480℃以内退火,势垒高度变化不大。当退火温度达500℃时,Si通过TiSi_2层扩散至W阻挡层而使之失效.

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