【摘 要】
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Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管——TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该
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Qorvo发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管——TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓(SiC)工艺——QGaN15。QGaN15工艺令
Qorvo announces a new lineup of six new GaN transistor chips, the TGF2933-36 and TGF2941-42, offering improved high-frequency performance and lower noise levels for advanced communications, radar and defense RF System application is very crucial. The series of six new GaN transistors and their associated models are manufactured using the Qorvo 0.15um silicon carbide based gallium nitride (SiC) process - QGaN15. QGaN15 process order
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