【摘 要】
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叙述了一种从气相中生长大直径CdS单晶的改进工艺。采用锡为加热介质,安瓿自旋的垂直升华工艺,制得了尺寸为ψ30×60毫米的大直径CdS单晶。并就影响晶体生长的几种因素进行了
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叙述了一种从气相中生长大直径CdS单晶的改进工艺。采用锡为加热介质,安瓿自旋的垂直升华工艺,制得了尺寸为ψ30×60毫米的大直径CdS单晶。并就影响晶体生长的几种因素进行了讨论。对晶体的电学、光学和结晶特性分别用X光衍射法、霍耳法、位错腐蚀坑法进行了测定。其中CO_2激光器测得的10.6μ处的透过率高达73%。
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