【摘 要】
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我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVD
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
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我们对 PHEMT材料中应变沟道 In Ga As层生长条件进行了优化 ,并采用了 LT-Ga As中缺陷扩散的阻挡层。功率 PHEMT器件结果为在栅长 Lg=1 .0 μ时 ,跨导 gm≥ 4 0 0ms/ mm,BVDS>1 5V,BVGS>1 0 V表明该材料有较好的性能。作为材料的缓冲层 ,结果表明器件性能优良 ,是国内最好结果。
We optimized the growth conditions of the strained channel InGaAs layer in PHEMT material and adopted a barrier to the diffusion of defects in LT-GaAs. The result of the power PHEMT device is that the transconductance gm ≧ 40 ms / mm, BVDS> 1 5 V, and BVGS> 10 V at a gate length of Lg = 1.0 μτη indicate good performance of the material. As the material of the buffer layer, the results show that the device performance is excellent, is the best results.
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