GaAs基异质结材料MBE生长及应用

来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoqiudyy1988

【摘要】

：

GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料和HFET材料.

【作者】

：

邱凯尹志军谢自力方小华王向武将朝晖陈建炉

【机构】

：

南京电子器件研究所

【出处】

：

第六届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2001年6期

【关键词】

：

分子束外延 PHEMT材料 HEFT材料 GaAs基半导体材料

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