【摘 要】
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日本松下电气公司的K.OGAWA和Y.OTA等在1990年12月的《EL》杂志上报道了毫米波HBT的制作和特性.这种AIGaAs/GaAs HBT是在未掺杂半绝缘衬底上生长外延层基区,其厚度为70nm.如
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日本松下电气公司的K.OGAWA和Y.OTA等在1990年12月的《EL》杂志上报道了毫米波HBT的制作和特性.这种AIGaAs/GaAs HBT是在未掺杂半绝缘衬底上生长外延层基区,其厚度为70nm.如此薄的基区是为了减小电子基区渡越时间.发射区尺寸为1×10μm,用单掩膜多次目对准工艺制成.其工艺特点是有小的埋层集电极、n~+-GaInAs发射极帽层和
K.OGAWA and Y. OTA of Japan’s Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. reported the fabrication and characteristics of millimeter-wave HBT in “EL” magazine in December 1990. The AIGaAs / GaAs HBT is fabricated on an undoped semi-insulating substrate Growth of the epitaxial layer base region, the thickness of 70nm. Such a thin base area is to reduce the transit time of the electron base region. Emission area size of 1 × 10μm, with a single mask multiple mesh alignment process made. Features are small buried collector, n ~ + -GaInAs emitter cap layer and
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