【摘 要】
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研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长 N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米
【机 构】
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防化研究院,东北师范大学,上海交通大学
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研究目的是探索半导体异质结构下的新型光电效应,为位置灵敏传感器的设计提供新思路.利用磁控溅射镀膜技术在P型硅基衬底上生长 N型Cr金属薄膜,从而得到Cr/SiO/Si的硅基纳米金属异质结构.使用纳米光刻蚀技术在金属层上按照设计的条纹图形进行光刻蚀加工,得到硅基纳米金属光刻蚀结构.在对结构进行I-V特性测量的过程中发现侧向光伏效应.使用635 nm,功率5 mW激光器时,其侧向光伏效应的最大灵敏度为4.844 mV·mm^-1,并且线性度较好.
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