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报道了用化学溶液沉积法采用价格低廉的原料在电阻率为6～9 Ω·cm的n型Si(100)衬底上生长Bi4Ti3O12铁电薄膜，并对薄膜的性质进行了研究。结果表明此制膜工艺简单，成本低，制备的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有较低的结晶温度，且薄膜均匀，致密，无裂纹。在650℃下退火30 min时得到的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有良好的绝缘性和铁电性，薄膜的剩余极化Pr＝4.9 μC/cm2，矫顽电场Ec＝87 kV/cm。