高速低阈值半导体激光器速率方程模型参数的直接确定

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhaolong0804
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
针对高速低阈值半导体激光器提出一种模型参数的直接确定方法。该方法仅利用阈值附近端口阻抗特性和阈值以上弛豫振荡频率特性来提取半导体激光器的模型参数,无需拟合激光器的强度调制(IM)频率响应特性或者相对噪声强度特性,但是需要器件的有源区结构参数和对光限制因子Γ的估算,研究表明当光限制因子Γ确定时,器件模型参数是唯一的。
其他文献
利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(P
深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法(SWEAT试验方法)的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等,并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将
近几年来,GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场,更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度
陶渊明和华兹华斯的诗都回归自然,情与理结合,都同属浪漫主义诗风,但由于文 化背景和生活经历不同,二者诗作又有诸多不同.
在分子束外延(MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构,并对样品进行光电流谱的测试.通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置,量子点中载流子所处束缚