锗硅双层量子点的光电流特性

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaocai_01

【摘要】

：

在分子束外延(MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构,并对样品进行光电流谱的测试.通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置,量子点中载流子所处束缚

【作者】

：

周浩蒋最敏陆昉

【机构】

：

复旦大学应用表面物理国家重点实验室

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

双层量子点光电流光致发光谱分子束外延 double quantum dots photocurrent photoluminescence molecul

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

在分子束外延(MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构,并对样品进行光电流谱的测试.通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变.由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合.与单层锗量子点结构相比,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同:光电流谱中,在o.767 eV及0.869 eV处出现了两个峰,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收.用这种结构的样品制成的红外光探测器能够同时对两种不同波长的

其他文献

MBE自组织方法生长InGaAs／AlGaAs量子线FET材料

利用分子束外延(MBE)技术在高指数面GaAs衬底上自组织生长了应变InGaAs/GaAs量子线材料.原子力显微镜(AFM)观测结果表明量子线的密度高达4×105/cm.低温偏振光致发光谱(P

期刊

MBE自组织方法InGaAs/AlGaAs量子线FET材料分子束外延场效应管Atomic force microscopyField effect

VLSI金属化互连可靠性的快速评价技术

深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法(SWEAT试验方法)的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等，并将在实践中总结出的试验经验和技巧介绍给大家。同时将

期刊

VLSI金属化互连集成电路可靠性waferlevelelectromigrationSWEAT(standardwaferlevelelectromig

GaN材料p型掺杂

近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度

期刊