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新年伊始,基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,该产品各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布,标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展,自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。近年来,基于硅(Si)、砷化镓(GaAs)半导体材料的功率器件受材料性能所限,正接近物理极限,产业发展进入瓶颈期。