论文部分内容阅读
依据上华CSMC 1μm25V工艺设计了一款高压微功耗LDO电源芯片。芯片采用缓冲级（buffer）的动态减小阻抗技术和级联密勒补偿方法，使LDO在全负载电流范围内，单位增益带宽内只有一个极点，在没有使用左半平面零点补偿的基础上，可保证LDO的相位裕度，实现了LDO良好的频率稳定性。LDO空载电流仅为5μA，芯片面积仅为0．9mm×0．9mm。