【摘 要】
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分析了 6 H- Si C肖特基源漏 MOSFET的电流输运机制 ,并建立了数值 -解析模型 .模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响 ,能准确反映器件的特性 .模拟结果显示 ,源极肖特
【机 构】
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分析了 6 H- Si C肖特基源漏 MOSFET的电流输运机制 ,并建立了数值 -解析模型 .模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响 ,能准确反映器件的特性 .模拟结果显示 ,源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素 ,随着温度升高 ,器件的特性将变得更好 .
The current transport mechanism of the 6 H-Si C Schottky source-drain MOSFET is analyzed and a numerical-analytical model is established. The model correctly accounts for the influence of tunneling current and potential barrier reduction and can accurately reflect the characteristics of the device. The results show that the barrier height of the source Schottky is a major factor affecting the device characteristics. As the temperature rises, the device characteristics will be better.
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