【摘 要】
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利用DLTS证实,经染料脉冲激光退火,红宝石脉冲激光退火和连续Nd:YAG激光退火的硅样品,存在深中心缺陷能级:(Ev + 0.14eV),(Ev + 0.19eV),(Ev + 0.24eV).研究了各种不同的技术
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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利用DLTS证实,经染料脉冲激光退火,红宝石脉冲激光退火和连续Nd:YAG激光退火的硅样品,存在深中心缺陷能级:(Ev + 0.14eV),(Ev + 0.19eV),(Ev + 0.24eV).研究了各种不同的技术以便钝化/消除这些深中心缺陷,其中包括高纯氢、氩气氛下退火,氢等离子体退火和连续CO_2激光退火.实验证明,采用连续CO_2激光退火是较合适的.关于这些深中心缺陷的钝化/消除机理,也进行了讨论.
DLTS demonstrated that there were deep-center defect levels (Ev + 0.14eV), (Ev + 0.19eV), (Ev + 0.24eV) in silicon samples that had been dye-pulsed, ruby, and continuous Nd: YAG laser annealed eV) A variety of techniques have been investigated to passivate / eliminate these deep center defects, including high purity hydrogen, annealing in argon atmosphere, hydrogen plasma annealing, and continuous CO 2 laser annealing. Experiments show that continuous CO 2 laser annealing is more suitable The discussion of the passivation / elimination mechanisms for these deep center defects is also discussed.
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