【摘 要】
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已知在用热氧化制作金属氧化物半导体大规模集成电路(MOS LSI)的栅氧化膜时,如果在气氛中加入少量氯化氢(HCI),则可减少可动离子造成的不稳定,减少表面能级以及增大少子寿命
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已知在用热氧化制作金属氧化物半导体大规模集成电路(MOS LSI)的栅氧化膜时,如果在气氛中加入少量氯化氢(HCI),则可减少可动离子造成的不稳定,减少表面能级以及增大少子寿命等,可望对于控制阈值电压和提高电荷耦合器件的传输效率也有好处。另外,显然HCl要对硅产生汽相腐蚀,所以对上述的氧化机理及可以提高性能的原因尚不十分清楚,并希望获得有关可靠性的数据。
It is known that when a gate oxide film of a MOS LSI is formed by thermal oxidation, if a small amount of hydrogen chloride (HCI) is added to the atmosphere, the instability due to the movable ions can be reduced and the surface energy can be reduced Level and increase the life of the minority carriers, etc., is expected to control the threshold voltage and improve the charge-coupled device transmission efficiency is also beneficial. In addition, it is clear that HCl should cause vapor phase corrosion of the silicon, so the reason for the above-mentioned oxidation mechanism and the improvement of the performance is not yet clear, and it is desired to obtain the data on the reliability.
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