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根据磁性随机存储器（MRAM）设计的实际需要，建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储单元与位线间距离（d1），字、位线宽度（w）及字、位线厚度（t）对存储单元自由层表面磁场分布的影响。结果表明，d1或w增大时，自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小。t增大时，自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大。其中d1对磁场分布的影响程序是最大的。该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础。