磁性随机存储器相关论文
芯片测试在集成电路生产过程中扮演着举足轻重的环节,一个优秀的测试方案可以显著缩短从设计到产品的时间。随着社会的发展,一种新......
随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随......
磁性随机存储器(MRAM)以其天然的抗辐射特性逐渐成为宇航电子系统的核心元器件之一。围绕MRAM空间粒子辐射效应关键技术,对MRAM辐......
随着人们对存储技术要求的提高,基于自旋转移矩(STT)效应的磁性随机存储器(STT-MRAM)以其巨大的优势成为磁学领域研究的热点。作为......
根据磁性随机存储器（MRAM）设计的实际需要，建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储......
利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明，在不同的尺寸下，菱形单元将有不同的......
法国科学家Albet Fert和德国科学家Peter Gronberg因发现巨磁电阻效应（GMR）而获得2007年度诺贝尔物理学奖。通过介绍他们的突出贡献......
自旋转移矩磁性随机存储器(STT-MRAM:Spin Transfer Torque Magnetic Random Access Memory)是一种基于材料的磁性来存储信息的新......
近年来,信息技术发展日新月异。互联网时代的浪潮还未远去,大数据、人工智能和物联网的新一代信息革命已经蓄势待发了,这带来了对......
为了能够分析横向尺寸小于100nm的平面自旋霍尔存储单元的器件特性,通过引入椭圆薄膜磁体的退磁因子,建立了能够准确分析单元形状......
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写......
当前，存储器发展的一个方向是朝着“利用新的物理规律，研发新的存储器结构”迈进，如相变存储器，电熔断存储器，阻抗存储器．磁性随机存储器......
本文介绍了国外近年来热门研究的磁性随机存储器(简称MRAM)的研究概况及发展趋势,在简要介绍磁阻效应基本原理的基础上,对磁性随机......
介绍几种有发展潜力的新型非易失存储器的原理,如铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变存储器等,并在性能方面作了对比,......
数据存储器件是铁磁材料的主要应用方向之一。目前基于铁磁材料的数据存储器件主要有两类,分别是较为通用的硬盘驱动器(hard disk ......
通过分析磁性随机存储器（MRAM）的基本原理,及其与现有的静态存储器（SRAM）、动态存储器（DRAM）和快闪存储器（Flash）的性能比较,探讨了MRAM作......
