SiO_2/Si衬底上热化学气相沉积法直接生长石墨烯

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采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在Si O2/Si基板上获得高质量的单层石墨烯。 The effects of different catalyst layer thickness on the growth of graphene were investigated by chemical vapor deposition, using Si O2 / Si as substrate and nickel film as catalyst layer. The graphene layers and masses were characterized by Raman spectroscopy and transmission electron microscopy. The results show that with the increase of Ni film thickness, the defect of graphene decreases and the number of layers decreases. High quality single-layer graphene can be obtained on Si O2 / Si substrate when the Ni film thickness is 300 nm.
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