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采用射频等离子体辅助分子束外延（RF plasma-assistedMBE）系统生长非故意掺杂GaN和P型GaN，并且通过室温和低温光致发光（PL）谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系，对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明，富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料；非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光（YL）与GaN中生成能最低的氮空位（Vs）缺陷有关；不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响；结合Hall效应测量结果，认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光，与GaN