【摘 要】
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欲制得亚微米几何尺寸的器件,研制新的干法蚀刻用气体至关重要。目前,流行于各种器件制备工艺的气体有:CF_4、CF_4/O_2、SF_6、CCl_4和少量的NF_3。NF_3这种气体,正是本文所
【机 构】
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美国宾夕法尼亚州立大学电子工程系固态器件实验室
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欲制得亚微米几何尺寸的器件,研制新的干法蚀刻用气体至关重要。目前,流行于各种器件制备工艺的气体有:CF_4、CF_4/O_2、SF_6、CCl_4和少量的NF_3。NF_3这种气体,正是本文所要论及的。本述评,概括地介绍诸如Si、SiO_2在NF_3等离子体中的蚀刻特性。
To fabricate sub-micron geometries, it is important to develop new gases for dry etching. At present, the gases that are popular in the preparation of various devices are: CF_4, CF_4 / O_2, SF_6, CCl_4 and a small amount of NF_3. NF_3 this kind of gas, it is this article to discuss. This review summarizes the etching properties of Si, SiO 2 in NF_3 plasma.
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