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对系列In2O3：Sn（1TO）薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn^＋，Ag^＋和Mo^＋离子注入并将它们在250℃下进行了热处理。利用霍耳测量研究了原始样品及注入和退火前后各样品的电学特性。研究了ITO薄膜的电学参数受离子注入的种类及剂量的影响。实验证明不同种类的离子注入会不同程度地降低ITO的导电性能，但热处理的效应与之相反。3种金属中，Sn^＋离子对薄膜造成的注入损伤最小，而高价的钼离子可以替换铟离子的位置成为施主，当注入剂量为1×10^15cm^-2时，经过Mo^＋离子注入和后续退火的IT