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用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅（Porous Silicon，PS）衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜，在室温下对ZnS／PS和ZnO／PS的光学和电学性质进行了比较。结果发现，ZnS／PS和ZnO／PS在可见光区450～700nm都有一个较宽的光致发光谱带，呈现较强的白光发射，但ZnS／PS体系的白光发射性能要优于ZnO／PS体系的发光性能。从二者的I-Y特性曲线来看，ZnS／PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性，而ZnO／PS异质结的整流特性与普通二极管不同，其反向电流不饱和。