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利用同步辐射光电发射研究了Cr/GaAs(100)界面形成和结构.室温下,当Cr覆盖度低于0.2nm时,Cr与GaAs衬底的作用很弱,没有反应产物生成.覆盖度高于0.2nm时,开始发生界面扩散和反应,As原子与Cr生成稳定的CrAs化合物,而Ga原子则与Cr形成组分变化的CrGa合金相,并居于界面处.提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应,引起表面偏析As的出现.芯能级谱的结合能与强度分析表明,反应产物可作为有效的势垒(化学陷阱),阻止衬底的Ga的外扩散.此外还比较了Cr与GaAs(100)及GaAs(110)界面形成及反应的差别.