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由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，...
Ga1—xAlxAs外延片有源区Al组份的测定方法
【摘 要】
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由于ＧａＡｓ与ＡｌＡｓ晶格常数相近，ＧａＡｓ晶格常数为０．５６５３５ｎｍ，ＡｌＡｓ的晶格常数为０．５６６０５ｎｍ，当固熔体中Ａｌ组份ｘ值从０变到１时，晶格常数变化约为０．１５％．因此，在ＧａＡｓ衬底上生长Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ时，在界面处的失配位错少，...
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1998年4期
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以三甲基铟（ＴＭＩｎ）、砷烷（ＡｓＨ３）、三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基锑（ＴＭＳｂ）为源，用水平常压ＭＯＣＶＤ技术，在较低的Ⅴ／Ⅲ比的条件下（１．５～４）于ＧａＡｓ和ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＩｎＡｓ合金和ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结．实验表明，生长温度在５００℃～６２０℃范围内，ＩｎＡｓ外延生长是扩散控制的．在
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采用ＢＭＰＰＶ：ＰＶＫ的混合物作国源介质，将其按一定比例溶于氯仿中，并旋涂在具有９９．５％的反射率的ＤＢＲ上，其上蒸发３００ｎｍ的银膜，形成了面发射型微腔结构，其中ＤＢＲ在入射腔面，银膜为反射腔面，在激发波长３３７．１ｎｍ，频率２０Ｈｚ脉宽１０ｎｓ的氮分子
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