论文部分内容阅读
本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱，用共振激发，共振喇曼和共振瑞昨散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别。
低温下ZnSe—ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱
【摘 要】
：
本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱，用共振激发，共振喇曼和共振瑞昨散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别。
【机 构】
：
中国科学院激发态物理开放研究实验室
【出 处】
：
发光学报
【发表日期】
：
1996年1期
【基金项目】
：
国家自然科学基金
其他文献
制备了不同电极，不同厚度，以８－羟基喹啉铝螯合物炎发光层的有机薄膜电致发光器件。分析了它们的电流密度－电压。不同阳极器件的电流变化很大，而改变阴极时电流密度折变化较小，说明电
掺杂Ｃｕ２＋的ＺｎＳ纳米超微粒的荧光衰减＊李丹刘俊业孟继武窦凯ａ）许武ａ）孙聆东ｂ）李振鹏ｂ）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ａ）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）ｂ）（北京大学稀土材料化学及应用国家重
本文由光谱烧孔的发光动力学方程出发，推导了脉冲光烧孔并选通的情况下量子效率的表达式，在７７Ｋ下测量了以不同功率的５６０ｎｍ脉冲光烧孔并选通的条件下，孔深随烧孔脉冲数目的变化，验证了烧孔
本同了集成光学声光频谱分析器的基本结构的工作原理。给出了集成光学芯片上各种集成光学元件和导波声光调制器的制作技术，并给出了组装一体化机的结构工艺要点。
以三甲基铟（ＴＭＩｎ）、砷烷（ＡｓＨ３）、三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基锑（ＴＭＳｂ）为源，用水平常压ＭＯＣＶＤ技术，在较低的Ⅴ／Ⅲ比的条件下（１．５～４）于ＧａＡｓ和ＧａＳｂ衬底上成功地生长了ＩｎＡｓ合金和ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ异质结．实验表明，生长温度在５００℃～６２０℃范围内，ＩｎＡｓ外延生长是扩散控制的．在
研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面Ｓｉｏ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制。
通过简化的三角势垒模型计算发现的第三代电致发光器件中，ＣｄＳ层确定对提供初电子有利。用计入非晶效应的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ方法进行模拟计算，证明非晶ＳｉＯ２层比ＺｎＳ层有更好的加速作用，从而有利于提高器件蓝
采用ＢＭＰＰＶ：ＰＶＫ的混合物作国源介质，将其按一定比例溶于氯仿中，并旋涂在具有９９．５％的反射率的ＤＢＲ上，其上蒸发３００ｎｍ的银膜，形成了面发射型微腔结构，其中ＤＢＲ在入射腔面，银膜为反射腔面，在激发波长３３７．１ｎｍ，频率２０Ｈｚ脉宽１０ｎｓ的氮分子
配合物Ｅｕ（ｐ－ＰＢＡ）３ｐｈｅｎ．１／２Ｈ２Ｏ（ｐ－ＰＢＡ：对苯基苯甲酸酸根离子；ｐｈｅｎ：邻菲咯啉）在紫外光激发下，能发出很强的红外荧光。以Ｅｕ（Ⅲ）离子为光谱探针，７７Ｋ下测得其高分辨激发和发射光谱，选择激发配合物的＾５Ｄ０能级，得到两组不同的发光光谱，表
报道了用５，６，１１，１２０四苯基四苯并掺杂８－羟基喹啉铝作为发光层的单层电致发光器件（ＬＥＤ），改变两种洒料的掺杂比得到一系列共混体系的发光特性，通过分析得出存在着从Ａｌｑ到Ｒｕｂｒｅｎｅ的高效率能量转移：Ａｌｑ＋Ｒｕｂｒｅｎｅ→Ａｌｑ＋Ｒｕｂｒｅｎｅ→ｈｖ单怪器件