【摘 要】
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作为新一代半导体材料,金属-卤化物钙钛矿以其大的光吸收系数、长的载流子扩散长度和高载流子迁移率等优异特性被研究者广泛关注.与多晶相比,钙钛矿单晶材料具有更低的缺陷态密度并且没有晶界,有望提高光电探测器性能.为了研究MAPbCl3单晶的光电探测性能,采用反向升温法制备了大块MAPbCl3单晶,然后采用真空热蒸发法在其表面蒸镀上Au的叉指电极,制成了Au/MAPbCl3/Au结构的光电探测器,最后对其进行了光电性能表征.结果 表明,采用反向升温法制备得到的单晶在紫外光和紫光波段中都表现出了很强的吸收,光谱显示
【机 构】
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沈阳师范大学物理科学与技术学院,沈阳110034
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作为新一代半导体材料,金属-卤化物钙钛矿以其大的光吸收系数、长的载流子扩散长度和高载流子迁移率等优异特性被研究者广泛关注.与多晶相比,钙钛矿单晶材料具有更低的缺陷态密度并且没有晶界,有望提高光电探测器性能.为了研究MAPbCl3单晶的光电探测性能,采用反向升温法制备了大块MAPbCl3单晶,然后采用真空热蒸发法在其表面蒸镀上Au的叉指电极,制成了Au/MAPbCl3/Au结构的光电探测器,最后对其进行了光电性能表征.结果 表明,采用反向升温法制备得到的单晶在紫外光和紫光波段中都表现出了很强的吸收,光谱显示出清晰的带边缘切边,同时对波长大于吸收边的光波段光线有较好的透过性,透过率大于50％;器件在5V电压下响应峰值波长为415 nm,最高响应度为1.24 mA/W,最高外量子效率为3.1％,器件稳定性较好.
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