科技在不断的进步,我们的生活也日益趋向于信息化。光电探测技术作为一项可以将光信号瞬间转换为电信号的技术而引起了人们的注意,它可以广泛地应用到各行各业中。正因其广泛的生活实用性,才会有越来越多的人对光电探测器的研究感兴趣。在过去,Si、GaN、GaAs等无机材料在探测器上的应用最为广泛,目前此类光电探测器的制造工艺和产品性能已经相当成熟且已被广泛应用。近些年,钙钛矿材料因具有高载流子迁移率、大吸收系数、宽的光谱吸收范围、低缺陷密度等固有属性而引起了大量学者的注意,成为了研究光电探测器的热门材料。仅仅就钙钛矿单晶而言,在之前的报道中,有学者制备出了有机无机杂化钙钛矿大块单晶进行过光探测研究,但是其制备过程药品消耗量大,利用率低且耗时长。因此,本文以甲胺铅碘为研究对象（下文中甲胺铅碘均用MAPbI₃表示）,以钙钛矿单晶材料自身优异的特点为出发点,围绕钙钛矿单晶在生长过程中温度、浓度、时间等不同影响因素展开探索,并对在确定的生长条件下限域生长的单晶的光探测性能展开研究,主要工作如下:1.利用逆温结晶法初步探索其析出晶种的恰当浓度;分析得出适宜析出晶种的浓度范围是1.32～1.5M,但是在不同浓度下析出晶种时,析出晶种的颗粒数目与颗粒大小各不相同;在后续的实验过程中可根据实验目的选择恰当的浓度。2.利用逆温结晶法分析有晶种诱导时晶体生长最恰当的温度、浓度与时间,即分析晶种诱导法生长晶体的合适条件;分析得出晶种生长最适宜的温度为100℃,最适宜的浓度为1.3M,最适宜的生长时间为6h。在此生长条件下,既可以使药品更大地程度地被利用,又不会浪费多余的时间。3.利用逆温结晶法和晶种诱导法两种方法相结合,根据分析得出的生长条件,更快速、更高效地制备出大块MAPbI₃单晶。4.利用逆温结晶法、晶种诱导法和限域生长法三种方法相结合,快速高效地生长出柱状MAPbI₃单晶,并制备电极组装成光探测器,研究其光探测性能;研究发现,柱状MAPb I₃单晶对675nm的光源响应最强,响应度可达76.23A·W^-1,外量子效应可达1.4×10⁴%,探测度达1.93×10¹³Jones;当提供波长405nm激光光源照射时,光谱响应度最大为16.03A·W^-1,外量子效率为4121.69%,探测度为4.18×10¹¹Jones。综上所述,本文围绕对MAPbI₃单晶生长中温度、浓度和时间等条件的探索,运用了逆温结晶法和晶种诱导法,快速、高效地生长出了大块的MAPb I₃单晶,并进一步限域生长为柱状的MAPb I₃单晶。然后,研究MAPbI₃单晶在光探测方向的应用。