【摘 要】
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采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响.其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温.注入后的样品在9
【机 构】
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兰州大学现代物理系,中国科学院高能物理研究所
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采用光致发光手段研究了几种不同注入离子N、O、Mg、Si和Ga对n型GaN蓝光发射带的影响.其中离子的注入剂量分别为1013、1014、1015和1016cm-2,注入温度为室温.注入后的样品在900℃流动氮气环境下进行10 min的热退火.通过对实验测得的光致发光谱的分析,给出了不同注入离子对n型GaN蓝光发射带的影响随注入剂量的变化关系以及该影响的相对强弱,进而确定蓝光发射起源于注入离子引入的间位缺陷.
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