【摘 要】
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通过硅（111）衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层不同退火温度的固相反应，在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜，用电流－电压和电容－电压（I－V／C－V）技术在90K到室温的温度范围内测量了CoSi2/
【基金项目】
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中 -比双边合作和上海市科委资助&&
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通过硅（111）衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层不同退火温度的固相反应，在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜，用电流－电压和电容－电压（I－V／C－V）技术在90K到室温的温度范围内测量了CoSi2/Si肖特基接触特性。用肖特基势垒下均匀模型分析了所测得的I－V特性，在较高温度下（≥-200K)或较低温度的较大偏压区域，I－V曲线能用热激发和在整个结中势垒高度的高斯分布模型描述，而在较低温度的较小偏压区域，电流由流过一些小势垒高度微区的电流决定，从而在低温I－V曲线上在约10^-7A处有一个“曲
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